«Скрытое» состояние магнитного материала увеличит скорость жестких дисков
Специалисты ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН совместно с коллегами из Саратова, а также из Белоруссии открыли физический эффект, позволяющий управлять свойствами магнитных материалов с помощью сверхкоротких лазерных импульсов. Как выяснили «Известия», технология позволяет переключать состояние носителя информации за доли секунды без необходимости экстремального охлаждения.
Суть метода заключается в переводе антиферромагнетика в особое «скрытое» состояние. Лазерный луч воздействует на магнитные моменты вещества (аналог стрелок компаса), позволяя менять их направление почти мгновенно. Ранее такие манипуляции были возможны только при температурах ниже –196 °C, что ограничивало применение технологий в бытовой электронике.
«Нам впервые удалось быстро переключить магнитное состояние антиферромагнетика лазером при температуре немного выше комнатной», — рассказала участник проекта, младший научный сотрудник лаборатории физики ферроиков ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Анна Кузикова.
Внедрение разработки позволит создать принципиально новый тип устройств хранения данных, которые превзойдут современные накопители по скорости, энергоэффективности и долговечности.
В работе приняли участие ученые из Научно-практического центра НАН Белоруссии по материаловедению (Минск) и Саратовского государственного университета имени Н.В. Чернышевского.
Секрет материала: «скрытое» состояние магнита увеличит скорость жестких дисков
